RTAN430C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: RTAN430C
   Маркировка: QA
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 38 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SC-59
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам