RTAN430C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTAN430C

Маркировка: QA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 38 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для RTAN430C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTAN430C даташит

 ..1. Size:133K  isahaya
 rtan430c rtan430m rtan430u.pdf pdf_icon

RTAN430C

Другие транзисторы: RT5P431C, RT5P431S, RTAN140C, RTAN140M, RTAN140U, RTAN230C, RTAN230M, RTAN230U, 2222A, RTAN430M, RTAN430U, RTBN131AP1, RTBN141AP1, RTBN14BAP1, RTBN226AP1, RTBN234AP1, RTBN426AP1