UMD3NFHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMD3NFHA

Маркировка: D3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMD3NFHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMD3NFHA даташит

 ..1. Size:1403K  rohm
emd3fha umd3nfha.pdfpdf_icon

UMD3NFHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRA EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 EMD3FHA UMD3NFHA UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4)

 ..2. Size:1440K  rohm
emd3fha umd3nfha imd3afra.pdfpdf_icon

UMD3NFHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRA EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 EMD3FHA UMD3NFHA UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4)

 9.1. Size:98K  rohm
emd3 umd3n imd3a umd3n.pdfpdf_icon

UMD3NFHA

EMD3 / UMD3N / IMD3A Transistors General purpose (Dual digital transistors) EMD3 / UMD3N / IMD3A Dimensions (Unit mm) Features 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a EMT EMD3 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interfer

 9.2. Size:92K  rohm
umd3n imd3a d3 sot23-6sot363.pdfpdf_icon

UMD3NFHA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD3N / IMD3A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxi

Другие транзисторы: UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA, UMD2NFHA, BC547, UMD4N, UMD5N, UMD6NFHA, UMD9NFHA, UMH10NFHA, UMH11NFHA, UMH14N, UMH14NFHA