Биполярный транзистор UMD6NFHA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: UMD6NFHA
Маркировка: D6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-353
UMD6NFHA Datasheet (PDF)
emd6fha umd6nfha.pdf

EMD6 / UMD6N / IMD6AEMD6FHA / UMD6NFHA / IMD6AFRADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) VCEO50V(4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA(3) (3) R14.7kWEMD6FHA UMD6NFHAEMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6
emd6fha umd6nfha imd6afra.pdf

EMD6 / UMD6N / IMD6AEMD6FHA / UMD6NFHA / IMD6AFRADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) VCEO50V(4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA(3) (3) R14.7kWEMD6FHA UMD6NFHAEMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6
emd6 umd6n imd6a umd6n.pdf

EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features External dimensions (Units : mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT EMD6or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, elimin
umd6n imd6a d6 sot23-6sot363.pdf

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMD6N / IMD6AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Both the DTA143T chip andDTC143T chip in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureA PNP a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N3904DCSM | D43CU7 | DC5403 | BCX78-10 | 2N404
History: 2N3904DCSM | D43CU7 | DC5403 | BCX78-10 | 2N404



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450