Биполярный транзистор UMH11NFHA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: UMH11NFHA
Маркировка: H11
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT-353
Аналог (замена) для UMH11NFHA
UMH11NFHA Datasheet (PDF)
emh11fha umh11nfha.pdf

EMH11 / UMH11N / IMH11AEMH11FHA / UMH11NFHA / IMH11AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R110kWEMH11 UMH11N EMH11FHA UMH11NFHAR210kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88)
emh11fha umh11nfha imh11afra.pdf

EMH11 / UMH11N / IMH11AEMH11FHA / UMH11NFHA / IMH11AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R110kWEMH11 UMH11N EMH11FHA UMH11NFHAR210kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88)
emh11 umh11n imh11a.pdf

EMH11 / UMH11N / IMH11A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH11 / UMH11N / IMH11A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC114E chips in a EMT or UMT or SMT EMH11package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)(6) (1)automatic mounting machines. 1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating interf
umh11n.pdf

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors )UMH11N / IMH11AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC114E chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN
Другие транзисторы... UMD22NFHA , UMD2NFHA , UMD3NFHA , UMD4N , UMD5N , UMD6NFHA , UMD9NFHA , UMH10NFHA , AC125 , UMH14N , UMH14NFHA , UMH1NFHA , UMH2NFHA , UMH32N , UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA .
History: FHTA8050O-ME
History: FHTA8050O-ME



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet