3DD4212DT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4212DT  📄📄 

Маркировка: 4212DT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD4212DT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4212DT даташит

 ..1. Size:233K  jilin sino
 3dd4212dt.pdf pdf_icon

3DD4212DT

 6.1. Size:649K  jilin sino
 3dd4212d.pdf pdf_icon

3DD4212DT

 9.1. Size:627K  1
 3dd4205d.pdf pdf_icon

3DD4212DT

 9.2. Size:642K  jilin sino
 3dd4204d.pdf pdf_icon

3DD4212DT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: UMH3NFHA, UMH4NFHA, UMH5NFHA, UMH6NFHA, UMH8NFHA, UMH9NFHA, US6H23, 2SC9014, TIP3055, 3DD2499, E3150, 3DD5287, MP1526, SMUN5335DW, KRC663E, KRC664E, 2SA1897