AV8050S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AV8050S  📄📄 

Маркировка: D9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23 SC59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AV8050S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AV8050S даташит

 ..1. Size:63K  no
 av8050s.pdf pdf_icon

AV8050S

@vic AV8050S NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION 3 The @vic AV8050S is a low voltage high current small signal 1 NPN transistor, designed for Class B push-pull audio amplifier and general purpose applications. 2 FEATURES *Collector current up to 700mA *Collector-Emitter voltage up to 20 V *Complementary to @v

Другие транзисторы: CHT847BWPT, STC8050N, XP6111, 3DD209L, 3DD313, 3DD2102, 3DD2901, 3DD5027, BD335, BFR360F, HLD133D, MP1620, MRF660, HSC2682, MJ13001A, 2T665A9, 2T665B9