HSC2682 - описание и поиск аналогов

 

HSC2682 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSC2682
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO126ML

 Аналоги (замена) для HSC2682

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSC2682 - технические параметры

 ..1. Size:30K  china
 hsc2682.pdf pdf_icon

HSC2682

Spec. No. HE6626-B HI-SINCERITY Issued Date 1994.12.07 Revised Date 2000.10.01 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HSC2682 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Audio frequency power amplifier, high frequency power amplifier. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ................................................................

 9.1. Size:99K  shantou-huashan
 hsc2621.pdf pdf_icon

HSC2682

Другие транзисторы... 3DD2102 , 3DD2901 , 3DD5027 , AV8050S , BFR360F , HLD133D , MP1620 , MRF660 , TIP35C , MJ13001A , 2T665A9 , 2T665B9 , FW26025A1 , 2SB817C , 2SD1047C , 2SC4714 , 2SC6089 .

 

 
Back to Top

 


 
.