Биполярный транзистор HSC2682 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSC2682
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO126ML
HSC2682 Datasheet (PDF)
1.1. hsc2682.pdf 
Size:30K _update_bjt
Spec. No. : HE6626-B HI-SINCERITY Issued Date : 1994.12.07 Revised Date : 2000.10.01 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/3 HSC2682 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Audio frequency power amplifier, high frequency power amplifier. Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C) • Maximum Temperatures Storage Temperature ................................................................
5.1. hsc2621.pdf Size:99K _shantou-huashan
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSC2621 █ APPLICATIONS Color TV Chroma Output Applications █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-126 Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
