Справочник транзисторов. 2SB817C

 

Биполярный транзистор 2SB817C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB817C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 280 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO3PB
 

 Аналог (замена) для 2SB817C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB817C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  sanken-ele
2sb817c 2sd1047c.pdfpdf_icon

2SB817C

Ordering number : ENN69872SB817C/2SD1047CPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SB817C/2SD1047C140V / 12A, AF 80W Output ApplicationsFeatures Package Dimensions Large current capacitance. unit : mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A Adoption of MBIT process.[2SB817C/2SD1047C]15.63.24.814.02.0

 ..2. Size:195K  inchange semiconductor
2sb817c.pdfpdf_icon

2SB817C

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB817CDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max.) @I = -5ACE(sat) CGood Linearity of hFEHigh Current CapabilityWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency amplifier outputstage a

 8.1. Size:30K  sanyo
2sb817p 2sd1047p 2sd1047p.pdfpdf_icon

2SB817C

Ordering number : ENN65722SB817P / 2SD1047P2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SB817P / 2SD1047P140V / 12A, AF80W Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Capable of being mounted easily because of one- unit : mmpoint fixing type plastic molded package (Inter-2022Achangeable with TO-3).[2SB817P

 8.2. Size:199K  jmnic
2sb817.pdfpdf_icon

2SB817C

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB817 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD1047 APPLICATIONS 140V/12A AF 60W output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

Другие транзисторы... HLD133D , MP1620 , MRF660 , HSC2682 , MJ13001A , 2T665A9 , 2T665B9 , FW26025A1 , 2SC945 , 2SD1047C , 2SC4714 , 2SC6089 , CE1A3Q , CHDTC114EKPT , 3DD5039 , 3DD5040 , ASY34 .

History: 3DD5011 | TN3444 | 2SD1353BL | SS9012

 

 
Back to Top

 


 
.