Справочник транзисторов. 2SB817C

 

Биполярный транзистор 2SB817C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB817C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 280 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO3PB

Аналоги (замена) для 2SB817C

 

 

2SB817C Datasheet (PDF)

1.1. 2sb817c 2sd1047c.pdf Size:445K _update_bjt

2SB817C
2SB817C

Ordering number : ENN6987 2SB817C/2SD1047C PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817C/2SD1047C 140V / 12A, AF 80W Output Applications Features Package Dimensions • Large current capacitance. unit : mm • Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A • Adoption of MBIT process. [2SB817C/2SD1047C] 15.6 3.2 4.8 14.0 2.0

1.2. 2sb817c 2sd1047c.pdf Size:445K _sanken-ele

2SB817C
2SB817C

Ordering number : ENN6987 2SB817C/2SD1047C PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817C/2SD1047C 140V / 12A, AF 80W Output Applications Features Package Dimensions • Large current capacitance. unit : mm • Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A • Adoption of MBIT process. [2SB817C/2SD1047C] 15.6 3.2 4.8 14.0 2.0

 1.3. 2sb817c.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

2SB817C
2SB817C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817C DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : V = -2.0V(Max.) @I = -5A CE(sat) C ·Good Linearity of h FE ·High Current Capability ·Wide Area of Safe Operation ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for audio frequency amplifier output stage a

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , SS8550 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top