2SB817C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB817C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 280 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3PB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB817C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB817C даташит

 ..1. Size:445K  sanken-ele
 2sb817c 2sd1047c.pdf pdf_icon

2SB817C

Ordering number ENN6987 2SB817C/2SD1047C PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817C/2SD1047C 140V / 12A, AF 80W Output Applications Features Package Dimensions Large current capacitance. unit mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A Adoption of MBIT process. [2SB817C/2SD1047C] 15.6 3.2 4.8 14.0 2.0

 ..2. Size:195K  inchange semiconductor
 2sb817c.pdf pdf_icon

2SB817C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB817C DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -2.0V(Max.) @I = -5A CE(sat) C Good Linearity of h FE High Current Capability Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency amplifier output stage a

 8.1. Size:30K  sanyo
 2sb817p 2sd1047p 2sd1047p.pdf pdf_icon

2SB817C

Ordering number ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions Capable of being mounted easily because of one- unit mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P

 8.2. Size:199K  jmnic
 2sb817.pdf pdf_icon

2SB817C

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB817 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD1047 APPLICATIONS 140V/12A AF 60W output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HLD133D, MP1620, MRF660, HSC2682, MJ13001A, 2T665A9, 2T665B9, FW26025A1, TIP127, 2SD1047C, 2SC4714, 2SC6089, CE1A3Q, CHDTC114EKPT, 3DD5039, 3DD5040, ASY34