3DD5039. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD5039

Маркировка: D5039

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO-220-HF

 Аналоги (замена) для 3DD5039

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5039 даташит

 ..1. Size:146K  jilin sino
 3dd5039.pdf pdf_icon

3DD5039

 8.1. Size:144K  jilin sino
 3dd5036.pdf pdf_icon

3DD5039

 8.2. Size:213K  jilin sino
 3dd5032.pdf pdf_icon

3DD5039

 8.3. Size:471K  jilin sino
 3dd5032p.pdf pdf_icon

3DD5039

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5032P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 8 A I C 3 V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Switching power Supply for color TV. FEATURE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2T665B9, FW26025A1, 2SB817C, 2SD1047C, 2SC4714, 2SC6089, CE1A3Q, CHDTC114EKPT, 9014, 3DD5040, ASY34, ASY35, ASY36, MT6L61AE, MT6L61AS, MT6L62AE, MT6L62AT