3DD5040. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD5040

Маркировка: D5040

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO-3P-H-IS

 Аналоги (замена) для 3DD5040

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5040 даташит

 ..1. Size:152K  jilin sino
3dd5040.pdfpdf_icon

3DD5040

 9.1. Size:144K  jilin sino
3dd5036.pdfpdf_icon

3DD5040

 9.2. Size:359K  jilin sino
3dd5024p.pdfpdf_icon

3DD5040

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 8A I C 3V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATU

 9.3. Size:368K  jilin sino
3dd5027.pdfpdf_icon

3DD5040

Другие транзисторы: FW26025A1, 2SB817C, 2SD1047C, 2SC4714, 2SC6089, CE1A3Q, CHDTC114EKPT, 3DD5039, TIP42, ASY34, ASY35, ASY36, MT6L61AE, MT6L61AS, MT6L62AE, MT6L62AT, MT6P04AT