Биполярный транзистор MT6L62AT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MT6L62AT
Маркировка: TF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: 2-2JA1C
MT6L62AT Datasheet (PDF)
mt6l62at.pdf
MT6L62AT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT6L62AT VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit: mmVHF-UHF Band Oscillator Application Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Rating Characteristics Symbol Unit Q1 Q2Collector-base voltage VCBO 10 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5 2 VCollector current IC 25 40 m
mt6l62ae.pdf
MT6L62AE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT6L62AE VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit: mmVHF-UHF Band Oscillator Application Mounted Devices Q1 Q2Three pin SSM type part No. MT3S07S MT3S03AS Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Rating Characteristics Symbol Unit Q1 Q2Collector-base voltage VCBO 10 10 VCollector-emitter voltage VCE
mt6l61as.pdf
MT6L61AS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type Preliminary MT6L61AS VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit: mmVHF-UHF Band Oscillator Application Two devices are built into the sES6 package, which is smaller and thinner than the super-thin and ultra-super mini (6-pin) ES6 package. Mounted Devices Q1 Q2Three pin SSM type part No. MT3S07S MT3
mt6l61ae.pdf
MT6L61AE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT6L61AE VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit: mmVHF-UHF Band Oscillator Application Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Rating Characteristics Symbol Unit Q1 Q2Collector-base voltage VCBO 10 10 VCollector-emitter voltage VCEO 5 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5 2 VCollector current IC 25 40 m
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050