MT6L62AT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MT6L62AT
Маркировка: TF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: 2-2JA1C
Аналоги (замена) для MT6L62AT
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MT6L62AT даташит
mt6l62at.pdf
MT6L62AT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT6L62AT VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit mm VHF-UHF Band Oscillator Application Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Rating Characteristics Symbol Unit Q1 Q2 Collector-base voltage VCBO 10 10 V Collector-emitter voltage VCEO 5 5 V Emitter-base voltage VEBO 1.5 2 V Collector current IC 25 40 m
mt6l62ae.pdf
MT6L62AE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT6L62AE VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit mm VHF-UHF Band Oscillator Application Mounted Devices Q1 Q2 Three pin SSM type part No. MT3S07S MT3S03AS Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Rating Characteristics Symbol Unit Q1 Q2 Collector-base voltage VCBO 10 10 V Collector-emitter voltage VCE
mt6l61as.pdf
MT6L61AS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type Preliminary MT6L61AS VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit mm VHF-UHF Band Oscillator Application Two devices are built into the sES6 package, which is smaller and thinner than the super-thin and ultra-super mini (6-pin) ES6 package. Mounted Devices Q1 Q2 Three pin SSM type part No. MT3S07S MT3
mt6l61ae.pdf
MT6L61AE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT6L61AE VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit mm VHF-UHF Band Oscillator Application Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Rating Characteristics Symbol Unit Q1 Q2 Collector-base voltage VCBO 10 10 V Collector-emitter voltage VCEO 5 5 V Emitter-base voltage VEBO 1.5 2 V Collector current IC 25 40 m
Другие транзисторы: 3DD5039, 3DD5040, ASY34, ASY35, ASY36, MT6L61AE, MT6L61AS, MT6L62AE, D880, MT6P04AT, CHDTA114YEPT, CHDTA144GUPT, EB13005, ED1802P, STC9014A, STC9014B, STC9014C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g




