2SA1113 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1113  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO71-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1113

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1113 даташит

 8.1. Size:37K  no
 2sa1116.pdf pdf_icon

2SA1113

 8.2. Size:39K  no
 2sa1115.pdf pdf_icon

2SA1113

 8.3. Size:182K  jmnic
 2sa1110.pdf pdf_icon

2SA1113

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1110 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC2590 Excellent current IC characteristics of forward current transfer ratio hFE vs. collector High transition frequency fT Optimum for the driver stage of a 40w to 60w output amplifier APPLICATIONS For low-frequency power amplification PI

 8.4. Size:146K  jmnic
 2sa1116.pdf pdf_icon

2SA1113

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1116 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SC2607 APPLICATIONS For power switching amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1107A, 2SA1108, 2SA1108A, 2SA1109, 2SA111, 2SA1110, 2SA1111, 2SA1112, 13009, 2SA1114, 2SA1115, 2SA1116, 2SA1117, 2SA112, 2SA1120, 2SA1121, 2SA1121B