DC8550C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DC8550C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для DC8550C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DC8550C даташит

 8.1. Size:64K  dc components
 dc8550.pdf pdf_icon

DC8550C

DC COMPONENTS CO., LTD. DC8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist

 9.1. Size:279K  fairchild semi
 fdc855n.pdf pdf_icon

DC8550C

January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m Features General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductor s advanced PowerTrench

Другие транзисторы: CHT857BTPTQ, CHT857BTPTR, CHT857BTPTS, CHT858BWPTQ, CHT858BWPTR, CHT858BWPTS, CHTA27XPT, DC8550B, C945, DC8550D, DC8550E, EB102, FA1L3Z-L36, FA1L3Z-L37, FA1L3Z-L38, KSC5802D, KTC601UY