DC8550C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DC8550C  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO92

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DC8550C

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DC8550C datasheet

 8.1. Size:64K  dc components
 dc8550.pdf pdf_icon

DC8550C

DC COMPONENTS CO., LTD. DC8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist

 9.1. Size:279K  fairchild semi
 fdc855n.pdf pdf_icon

DC8550C

January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m Features General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductor s advanced PowerTrench

Otros transistores... CHT857BTPTQ, CHT857BTPTR, CHT857BTPTS, CHT858BWPTQ, CHT858BWPTR, CHT858BWPTS, CHTA27XPT, DC8550B, 2N3904, DC8550D, DC8550E, EB102, FA1L3Z-L36, FA1L3Z-L37, FA1L3Z-L38, KSC5802D, KTC601UY