Справочник транзисторов. EB102

 

Биполярный транзистор EB102 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: EB102

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для EB102

 

 

EB102 Datasheet (PDF)

1.1. eb102h.pdf Size:268K _update_bjt

EB102
EB102

Shenzhen Shengyuan Semiconductors Co., LTD. Product Specification EB SERIES TRANSISTORS EB102 FEATURES HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA APPLICATION: FLUORESCENT LAMP ELECTRONIC BALLAST Absolute Maximum Ratings Tc=25°C TO-92 PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Base Voltage VCBO 600 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter- Base Voltage VEBO 9 V Collec

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


EB102
  EB102
  EB102
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: RD9FE-V | RD9FE-T | RD9FE-R | FJP3305H2 | CHT807PTS | CHT807PTR | CHT807PTQ | 3DA4544Y | 3DA4544O | 3DA4544R | 3DD2553 | 2SD1710C | NP061A3 | KTC601UY | KSC5802D | FA1L3Z-L38 | FA1L3Z-L37 | FA1L3Z-L36 | EB102 | DC8550E |

 

 

 

 
Back to Top