Справочник транзисторов. KSC5802D

 

Биполярный транзистор KSC5802D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSC5802D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7

Корпус транзистора: TO3PF

Аналоги (замена) для KSC5802D

 

 

KSC5802D Datasheet (PDF)

1.1. ksc5802d.pdf Size:82K _update_bjt

KSC5802D
KSC5802D

KSC5802D High Voltage Color Display Horizontal Equivalent Circuit Deflection Output C (Built In Damper Diode) • High Breakdown Voltage BVCBO=1500V • High Speed Switching : tF=0.1µs (Typ.) B • Wide S.O.A TO-3PF 1 • For C-Monitor(69KHz) 50Ω typ. 1.Base 2.Collector 3.Emitter E NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherw

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


KSC5802D
  KSC5802D
  KSC5802D
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: RD9FE-V | RD9FE-T | RD9FE-R | FJP3305H2 | CHT807PTS | CHT807PTR | CHT807PTQ | 3DA4544Y | 3DA4544O | 3DA4544R | 3DD2553 | 2SD1710C | NP061A3 | KTC601UY | KSC5802D | FA1L3Z-L38 | FA1L3Z-L37 | FA1L3Z-L36 | EB102 | DC8550E |

 

 

 

 
Back to Top