Справочник транзисторов. KSC5802D

 

Биполярный транзистор KSC5802D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC5802D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3PF
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5802D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  fairchild semi
 ksc5802d.pdf pdf_icon

KSC5802D

KSC5802DHigh Voltage Color Display Horizontal Equivalent CircuitDeflection Output C(Built In Damper Diode) High Breakdown Voltage BVCBO=1500V High Speed Switching : tF=0.1s (Typ.)B Wide S.O.ATO-3PF1 For C-Monitor(69KHz)50 typ. 1.Base 2.Collector 3.EmitterENPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherw

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | 2SC2812L4 | DXTA42 | MJ10005P | K159NT1D | BFP181

 

 
Back to Top

 


 
.