Биполярный транзистор KSC5802D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5802D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO3PF
KSC5802D Datasheet (PDF)
..1. Size:82K fairchild semi
ksc5802d.pdf
ksc5802d.pdf
KSC5802DHigh Voltage Color Display Horizontal Equivalent CircuitDeflection Output C(Built In Damper Diode) High Breakdown Voltage BVCBO=1500V High Speed Switching : tF=0.1s (Typ.)B Wide S.O.ATO-3PF1 For C-Monitor(69KHz)50 typ. 1.Base 2.Collector 3.EmitterENPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherw
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050