KSC5802D - описание и поиск аналогов

 

KSC5802D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSC5802D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3PF

 Аналоги (замена) для KSC5802D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5802D - технические параметры

 ..1. Size:82K  fairchild semi
 ksc5802d.pdf pdf_icon

KSC5802D

KSC5802D High Voltage Color Display Horizontal Equivalent Circuit Deflection Output C (Built In Damper Diode) High Breakdown Voltage BVCBO=1500V High Speed Switching tF=0.1 s (Typ.) B Wide S.O.A TO-3PF 1 For C-Monitor(69KHz) 50 typ. 1.Base 2.Collector 3.Emitter E NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherw

Другие транзисторы... DC8550B , DC8550C , DC8550D , DC8550E , EB102 , FA1L3Z-L36 , FA1L3Z-L37 , FA1L3Z-L38 , BC337 , KTC601UY , NP061A3 , 2SD1710C , 3DD2553 , 3DA4544R , 3DA4544O , 3DA4544Y , CHT807PTQ .

 

 
Back to Top

 


 
.