KSC5802D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5802D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3PF

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5802D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5802D даташит

 ..1. Size:82K  fairchild semi
 ksc5802d.pdf pdf_icon

KSC5802D

KSC5802D High Voltage Color Display Horizontal Equivalent Circuit Deflection Output C (Built In Damper Diode) High Breakdown Voltage BVCBO=1500V High Speed Switching tF=0.1 s (Typ.) B Wide S.O.A TO-3PF 1 For C-Monitor(69KHz) 50 typ. 1.Base 2.Collector 3.Emitter E NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherw

Другие транзисторы: DC8550B, DC8550C, DC8550D, DC8550E, EB102, FA1L3Z-L36, FA1L3Z-L37, FA1L3Z-L38, BC548, KTC601UY, NP061A3, 2SD1710C, 3DD2553, 3DA4544R, 3DA4544O, 3DA4544Y, CHT807PTQ