KTC601UY - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KTC601UY
Маркировка: L4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: USV
KTC601UY - технические параметры
ktc601u.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B FEATURES B1 A super-minimold package houses 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Excellent temperature response between these 2 transistor. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 High pairing property in hFE. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 The follwin
ktc601u.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors KTC601U SOT-353 Unit mm 1.3+0.1 -0.1 0.65 Features Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2. +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3 -0.1 +0.1 2.1-0.1 5 4 1. Q1 BASE 2. Q , Q EMITTER 1 2 3. Q BASE 2 4. Q COLLECTOR 2 5. Q COLLECTOR
ktc601e.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B B1 FEATURES A super-minimold package houses 2 transistor. Excellent temperature response between these 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + High pairing property in hFE. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 The follwing characteristics are commo
ktc601f.pdf
SEMICONDUCTOR KTC601F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. TENTATIVE FEATURES Thin fine pitch super mini 5pin. Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCB
Другие транзисторы... DC8550C , DC8550D , DC8550E , EB102 , FA1L3Z-L36 , FA1L3Z-L37 , FA1L3Z-L38 , KSC5802D , S8050 , NP061A3 , 2SD1710C , 3DD2553 , 3DA4544R , 3DA4544O , 3DA4544Y , CHT807PTQ , CHT807PTR .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115





