KTC601UY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC601UY  📄📄 

Маркировка: L4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: USV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC601UY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC601UY даташит

 7.1. Size:40K  kec
ktc601u.pdfpdf_icon

KTC601UY

SEMICONDUCTOR KTC601U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B FEATURES B1 A super-minimold package houses 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Excellent temperature response between these 2 transistor. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 High pairing property in hFE. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 The follwin

 7.2. Size:1038K  kexin
ktc601u.pdfpdf_icon

KTC601UY

SMD Type Transistors NPN Transistors KTC601U SOT-353 Unit mm 1.3+0.1 -0.1 0.65 Features Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2. +0.1 +0.05 0.1-0.02 0.3 -0.1 +0.1 2.1-0.1 5 4 1. Q1 BASE 2. Q , Q EMITTER 1 2 3. Q BASE 2 4. Q COLLECTOR 2 5. Q COLLECTOR

 8.1. Size:42K  kec
ktc601e.pdfpdf_icon

KTC601UY

SEMICONDUCTOR KTC601E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B B1 FEATURES A super-minimold package houses 2 transistor. Excellent temperature response between these 2 transistor. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + High pairing property in hFE. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 The follwing characteristics are commo

 8.2. Size:708K  kec
ktc601f.pdfpdf_icon

KTC601UY

SEMICONDUCTOR KTC601F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. TENTATIVE FEATURES Thin fine pitch super mini 5pin. Excellent temperature response between these 2 transistor. High pairing property in hFE. The follwing characteristics are common for Q1, Q2. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCB

Другие транзисторы: DC8550C, DC8550D, DC8550E, EB102, FA1L3Z-L36, FA1L3Z-L37, FA1L3Z-L38, KSC5802D, S8050, NP061A3, 2SD1710C, 3DD2553, 3DA4544R, 3DA4544O, 3DA4544Y, CHT807PTQ, CHT807PTR