NP061A3 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NP061A3 📄📄
Маркировка: 1P
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SSSMINI6-F1
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для NP061A3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NP061A3 даташит
np061a3.pdf
Composite Transistors NP061A3 Silicon PNP epitaxial planar transistor Unit mm For digital circuits 0.12+0.03 -0.02 6 5 4 0 to 0.02 Features SSS-Mini type 6-pin package, reduction of the mounting area and assembly cost by one half 1 2 3 Maximum package height (0.4 mm) contributes to develop thinner (0.35) (0.35) 1.00 0.05 equipments Display at No.1 lead Basic
Другие транзисторы: DC8550D, DC8550E, EB102, FA1L3Z-L36, FA1L3Z-L37, FA1L3Z-L38, KSC5802D, KTC601UY, BC557, 2SD1710C, 3DD2553, 3DA4544R, 3DA4544O, 3DA4544Y, CHT807PTQ, CHT807PTR, CHT807PTS
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor

