UNR5117 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UNR5117 📄📄
Маркировка: 6H
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160
Корпус транзистора: SC70
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для UNR5117
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UNR5117 даташит
unr511x un511x series.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR511x Series (UN511x Series) Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/ magazine packing (0.65) (0.65)
Другие транзисторы: UNR221Z, UNR5110, UNR5111, UNR5112, UNR5113, UNR5114, UNR5115, UNR5116, A1015, UNR5118, UNR5119, UNR511D, UNR511E, UNR511F, UNR511H, UNR511L, UNR511M
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: UNR521L | UN9216J | UNR5118 | 3DD4244DZ | UNR2214
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent

