3DD104B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD104B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD104B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD104B даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 3dd104b.pdf pdf_icon

3DD104B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD104B DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE

 8.1. Size:24K  shaanxi
 3dd104.pdf pdf_icon

3DD104B

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD104 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards GJB33 A-97 4. Use for Low-speed sw

 8.2. Size:183K  inchange semiconductor
 3dd104e.pdf pdf_icon

3DD104B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD104E DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE

 8.3. Size:182K  inchange semiconductor
 3dd104c.pdf pdf_icon

3DD104B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD104C DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD101B, 3DD101C, 3DD101D, 3DD101E, 3DD102A, 3DD102D, 3DD103E, 3DD104A, 431, 3DD104C, 3DD104D, 3DD104E, 3DD159A, 3DD159B, 3DD159C, 3DD159D, 3DD159E