Биполярный транзистор KT8232B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KT8232B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO-3P
KT8232B Datasheet (PDF)
4.1. kt8232a-b.pdf 
Size:103K _update_bjt
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМН ИЕВЫЙ ВЫСО ВО ЫЙ СОСТАВНО Р КО ЛЬТНЫЙ МОЩН Й ТРАНЗИСТО Предназначен для применения в переключающих и импульсных схемах. Идеально подходит для электронных систем зажигания. Имеет встроенный диод
5.1. kt823a-b-v.pdf Size:402K _russia
5.2. kt8230.pdf Size:245K _integral
КТ8230А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, а также в уз
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
