KT8232B Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search
Type Designator: KT8232B
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 125 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 300 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 20 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 300
Noise Figure, dB: -
Package: TO-3P
KT8232B Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search
KT8232B Datasheet (PDF)
4.1. kt8232a-b.pdf 
Size:103K _update_bjt
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМН ИЕВЫЙ ВЫСО ВО ЫЙ СОСТАВНО Р КО ЛЬТНЫЙ МОЩН Й ТРАНЗИСТО Предназначен для применения в переключающих и импульсных схемах. Идеально подходит для электронных систем зажигания. Имеет встроенный диод
5.1. kt823a-b-v.pdf Size:402K _russia
5.2. kt8230.pdf Size:245K _integral
КТ8230А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, а также в уз
Datasheet: 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
