All Transistors. KT8232B Datasheet

 

KT8232B Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: KT8232B

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 125 W

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 300 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 20 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 300

Noise Figure, dB: -

Package: TO-3P

KT8232B Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

KT8232B Datasheet (PDF)

4.1. kt8232a-b.pdf Size:103K _update_bjt

KT8232B
KT8232B

КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМН ИЕВЫЙ ВЫСО ВО ЫЙ СОСТАВНО Р КО ЛЬТНЫЙ МОЩН Й ТРАНЗИСТО Предназначен для применения в переключающих и импульсных схемах. Идеально подходит для электронных систем зажигания. Имеет встроенный диод

5.1. kt823a-b-v.pdf Size:402K _russia

KT8232B

5.2. kt8230.pdf Size:245K _integral

KT8232B
KT8232B

КТ8230А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, а также в уз

Datasheet: 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top