2SD2524. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD2524

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SD2524

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2524 даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd2524.pdf pdf_icon

2SD2524

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2524 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1700V (Min) CBO High Switching Speed Low Saturation Voltage Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

 8.1. Size:192K  toshiba
 2sd2526.pdf pdf_icon

2SD2524

2SD2526 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) 2SD2526 High Power Switching Applications Unit mm Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications High DC current gain hFE = 2000 (min) (V = 3 V, I = 3 A) CE C Low saturation voltage V = 1.5 V (max) (I = 3 A) CE (sat) C Complementary to 2SB1641 Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 8.2. Size:178K  toshiba
 2sd2525.pdf pdf_icon

2SD2524

2SD2525 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2525 Audio Frequency Power Amplifier Applications Unit mm High DC current gain 100 (min) Low saturation voltage V = 0.4 V (typ.) (I = 2 A, I = 0.2 A) CE (sat) C B Complementary to 2SB1640 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-em

 8.3. Size:42K  panasonic
 2sd2527.pdf pdf_icon

2SD2524

Power Transistors 2SD2527 Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification with high forward current transfer ratio Unit mm 4.6 0.2 Features 9.9 0.3 2.9 0.2 High foward current transfer ratio hFE Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE 3.2 0.1 Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 1.4 0.2 2.6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SCR586D3, 2SD1047E, 2SD133, 2SD1885C, 2SD2328, 2SD2397, 2SD2422, 2SD2490, TIP2955, 2SD2593, 2SD2633, 2SD476N, 2SD711, 2SD882U-P, 3CA168, 3DD102C, 3DD15B