Биполярный транзистор 2SD2593 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2593
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO220F
2SD2593 Datasheet (PDF)
2sd2593.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2593DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.2 (Max)@ I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Voltage 60
2sd2599.pdf
2SD2599 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2599 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV Unit: mm High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 8 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.5 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL
2sd2598.pdf
Transistor2SD2598Unit: mmSilicon NPN epitaxial planer type2.5 0.11.05darlington6.9 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.0 0.8For low-frequency amplification0.65 max.Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE+0.1 0.450.05= 4000 to 20000.2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist
2sd2598 e.pdf
Transistor2SD2598Unit: mmSilicon NPN epitaxial planer type2.5 0.11.05darlington6.9 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.0 0.8For low-frequency amplification0.65 max.Features Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE+0.1 0.450.05= 4000 to 20000.2.5 0.5 2.5 0.5 A shunt resist
2sd2599.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2599DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Saturation VoltageBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050