BU2515AX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2515AX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: SOT399

 Аналоги (замена) для BU2515AX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2515AX даташит

 ..1. Size:51K  philips
 bu2515ax bu2515ax 1.pdf pdf_icon

BU2515AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515AX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of pc monitors. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VBE = 0

 ..2. Size:216K  inchange semiconductor
 bu2515ax.pdf pdf_icon

BU2515AX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515AX DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of PC monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

 7.1. Size:50K  philips
 bu2515af 1.pdf pdf_icon

BU2515AX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515AF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of pc monitors. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VBE = 0

 7.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bu2515af.pdf pdf_icon

BU2515AX

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515AF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of PC monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD15D, 3DD4515, BD134, BDY96D, BU2507AX, BU2507DX, BU2508AW, BU2508DW, D882P, BU2520AW, BU2523AF, BU2523AX, BU2527AW, BU2532AL, BU2532AW, BU2708AF, BU2708AX