BU2520AW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2520AW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 115 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO247 SOT429

 Аналоги (замена) для BU2520AW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2520AW даташит

 ..1. Size:62K  philips
 bu2520aw 1.pdf pdf_icon

BU2520AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520AW GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emi

 ..2. Size:62K  philips
 bu2520aw.pdf pdf_icon

BU2520AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520AW GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emi

 ..3. Size:215K  inchange semiconductor
 bu2520aw.pdf pdf_icon

BU2520AW

isc Silicon NPN Power Transistor BU2520AW DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of large screen color TV receivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER V

 7.1. Size:96K  philips
 bu2520af.pdf pdf_icon

BU2520AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520AF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4515, BD134, BDY96D, BU2507AX, BU2507DX, BU2508AW, BU2508DW, BU2515AX, BD136, BU2523AF, BU2523AX, BU2527AW, BU2532AL, BU2532AW, BU2708AF, BU2708AX, BU406FI