Справочник транзисторов. BU2520AW

 

Биполярный транзистор BU2520AW Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2520AW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 115 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO247 SOT429
 

 Аналог (замена) для BU2520AW

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2520AW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  philips
 bu2520aw 1.pdf pdf_icon

BU2520AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520AW GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emi

 ..2. Size:62K  philips
 bu2520aw.pdf pdf_icon

BU2520AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520AW GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emi

 ..3. Size:215K  inchange semiconductor
 bu2520aw.pdf pdf_icon

BU2520AW

isc Silicon NPN Power Transistor BU2520AWDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits oflarge screen color TV receiversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER V

 7.1. Size:96K  philips
 bu2520af.pdf pdf_icon

BU2520AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520AF GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to 32 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DD4515 , BD134 , BDY96D , BU2507AX , BU2507DX , BU2508AW , BU2508DW , BU2515AX , BD136 , BU2523AF , BU2523AX , BU2527AW , BU2532AL , BU2532AW , BU2708AF , BU2708AX , BU406FI .

History: NSVMUN2237T1G | BF248 | UMT1008 | 2SC1096 | CL151-4A | BDW84D | DTA206

 

 
Back to Top

 


 
.