KTD1945 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTD1945  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTD1945

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1945 даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 ktd1945.pdf pdf_icon

KTD1945

isc Silicon NPN Power Transistor KTD1945 DESCRIPTION Low Saturation Voltage- V = 0.5V(Max)@ I = 2A CE(sat) C High Collector Power Dissipation- P = 25W(Max) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collecto

 9.1. Size:460K  kec
 ktd1937.pdf pdf_icon

KTD1945

SEMICONDUCTOR KTD1937 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. LAMP SOLENOID DRIVER. A C DIM MILLIMETERS S FEATURES _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E High hFE 500 1500(IC=1A). C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Low Saturation VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC=5A). _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ +

Другие транзисторы: BUW11W, BUW12AW, BUW12W, BUX18A, BUX47AFI, KSD880W, KTC2200, KTC2202, TIP41, MJ10012T, MJE3055AT, MJE340T, MN638S, TIP2955T, TIP3055T, TL142, WT062