Биполярный транзистор SAP16N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SAP16N
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Корпус транзистора: TO3PL-5
SAP16N Datasheet (PDF)
..1. Size:34K 1
sap16n.pdf
sap16n.pdf
Equivalent CcircuitBSDEmitter resistorSAP16NRE: 0.22 Typ.E(Complement to type SAP16P) Application: Audio Absolute maximum ratings Electrical Characteristics External Dimensions(Ta=25C) (Ta=25C) (Unit: mm)RatingsSymbol Ratings UnitSymbol Conditions Unit3.2 0.2min typ max15.4 0.34.5 0.2V 160 VCBO9.9 0.21.6 0.2I V =160V 100 ACBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: CDB550 | CSA1029 | 2SA1370D | 2SB1349 | 2SB1103 | RT1P130S | KRA108
History: CDB550 | CSA1029 | 2SA1370D | 2SB1349 | 2SB1103 | RT1P130S | KRA108
Список транзисторов
Обновления
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D