SAP16N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SAP16N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO3PL-5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SAP16N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SAP16N даташит

 ..1. Size:34K  1
 sap16n.pdf pdf_icon

SAP16N

Equivalent C circuit B S D Emitter resistor SAP16N RE 0.22 Typ. E (Complement to type SAP16P) Application Audio Absolute maximum ratings Electrical Characteristics External Dimensions (Ta=25 C) (Ta=25 C) (Unit mm) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Unit 3.2 0.2 min typ max 15.4 0.3 4.5 0.2 V 160 V CBO 9.9 0.2 1.6 0.2 I V =160V 100 A CBO

Другие транзисторы: 102NU71, 103NU71, 104NU71, 2T951A, 2T951B, 2T951V, D71F2T1, RN2130FV, 13003, SBT92, TIP540, AT41586, C3198, HTL194, ST2001HI, SFT244, SFT245