3CD3C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD3C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-66

 Аналоги (замена) для 3CD3C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD3C даташит

 ..1. Size:222K  inchange semiconductor
 3cd3c.pdf pdf_icon

3CD3C

isc Silicon PNP Power Transistors 3CD3C DESCRIPTION Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Bas

Другие транзисторы: SFT244, SFT245, MD1803DFH, 3DD4205D-O-M-N-C, 3DD4205D-O-Z-N-C, 2N3055B, 2SC3907S, 2T837A, TIP35C, 3DA27C, 3DA608, 3DA98A, 3DA98B, 3DD164F, BFG540-X, BFP196W, BFR182TW