BU506A - описание и поиск аналогов

 

BU506A - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BU506A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2.25
   Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для BU506A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU506A - технические параметры

 ..1. Size:240K  inchange semiconductor
bu506a.pdfpdf_icon

BU506A

isc Silicon NPN Power Transistor BU506A DESCRIPTION High Voltage High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers and in line-operated switch-mode applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

 9.1. Size:65K  philips
bu506.pdfpdf_icon

BU506A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BU506; BU506D Silicon diffused power transistors 1997 Aug 13 Product specification Supersedes data of December 1991 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BU506; BU506D DESCRIPTION High-voltage, high-speed, switching NPN power transistor in a TO-220AB package. The B

 9.2. Size:69K  philips
bu506df.pdfpdf_icon

BU506A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BU506F; BU506DF Silicon diffused power transistors Product specification 1997 Aug 14 Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BU506F; BU506DF DESCRIPTION High-voltage, high-speed switching NPN power transistor in a SOT186 package. The B

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
bu506f.pdfpdf_icon

BU506A

isc Silicon NPN Power Transistor BU506F DESCRIPTION High Voltage High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers and in line-operated switch-mode applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Другие транзисторы... 3DA27C , 3DA608 , 3DA98A , 3DA98B , 3DD164F , BFG540-X , BFP196W , BFR182TW , SS8050 , BU941ZL , BUV26G , DK151G , DS15 , J6920 , KSA940TU , KSC2073TU , MJE15036 .

History: BSX45 | CSC2371K | BSX46-10

 

 
Back to Top

 


 
.