TIP36AT - описание и поиск аналогов

 

TIP36AT - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TIP36AT
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для TIP36AT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP36AT - технические параметры

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
tip36at.pdfpdf_icon

TIP36AT

isc Silicon PNP Power Transistor TIP36AT DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

 8.1. Size:260K  onsemi
tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdfpdf_icon

TIP36AT

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) Complementary Silicon High-Power Transistors http //onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTS ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 8.2. Size:215K  inchange semiconductor
tip36ab.pdfpdf_icon

TIP36AT

isc Silicon PNP Power Transistor TIP36AB DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

 8.3. Size:141K  inchange semiconductor
tip36 tip36a tip36b tip36c.pdfpdf_icon

TIP36AT

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors TIP36/36A/36B/36C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP35/35A/35B/35C DC current gain hFE=25(Min)@IC=-1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base

Другие транзисторы... MJE15037 , MJF13005 , QM5HG-24 , S2530A , TIP127B , TIP35AB , TIP35AT , TIP36AB , D965 , UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2T837B , 2T837V , 2T837G , 2T837D .

History: ST2SD1664U-R

 

 
Back to Top

 


 
.