2T837V - описание и поиск аналогов

 

2T837V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2T837V

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для 2T837V

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2T837V даташит

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837V

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837V

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO With TO-220 packaging Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -

Другие транзисторы... TIP35AT , TIP36AB , TIP36AT , UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2T837B , BC556 , 2T837G , 2T837D , 2T837E , 9014M-B , 9014M-C , 9014M-D , 9015M-B , 9015M-C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.