Справочник транзисторов. 2SA1150O

 

Биполярный транзистор 2SA1150O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1150O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1150O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:193K  toshiba
2sa1150.pdfpdf_icon

2SA1150O

2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current I

 8.1. Size:166K  nec
2sa1156.pdfpdf_icon

2SA1150O

 8.2. Size:24K  nec
2sa1153.pdfpdf_icon

2SA1150O

Другие транзисторы... 2SA1144 , 2SA1145 , 2SA1145O , 2SA1145Y , 2SA1146 , 2SA1147 , 2SA115 , 2SA1150 , 13001-A , 2SA1150Y , 2SA1151 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , 2SA1155 , 2SA1156 , 2SA1158 .

History: 2N5323 | 2N5785SM | 2N5109B | 2N1378 | 2N1214 | 2SA1115 | 2N5595

 

 
Back to Top

 


 
.