LM4158D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LM4158D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 410 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для LM4158D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LM4158D даташит

 ..1. Size:670K  1
 lm4158d.pdf pdf_icon

LM4158D

LM4158D NPN /NPN High Voltage Switching Transistor ROHS FEATURES HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ROHS COMPLIANT APPLICATION FLUORES

Другие транзисторы: 2T837E, 9014M-B, 9014M-C, 9014M-D, 9015M-B, 9015M-C, 9015M-D, HLD128D, TIP32C, ST2310HI, ST2310DHI, 3DD13005MD-O-HF-N-B, 3DD13005MD-O-Z-N-C, Q3-2, YZ21D, 3DD1555, 3DD13007K