YZ21D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: YZ21D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для YZ21D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

YZ21D даташит

 ..1. Size:199K  inchange semiconductor
 yz21d.pdf pdf_icon

YZ21D

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor YZ21D DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 500(Min)@ I = 2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage 110 V CBO V Colle

Другие транзисторы: 9015M-D, HLD128D, LM4158D, ST2310HI, ST2310DHI, 3DD13005MD-O-HF-N-B, 3DD13005MD-O-Z-N-C, Q3-2, A42, 3DD1555, 3DD13007K, BRMJE172D, 3DD401, XW6821, XW6822, XW6822A, XW6823