Биполярный транзистор BRMJE172D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BRMJE172D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для BRMJE172D
BRMJE172D Datasheet (PDF)
0.1. brmje172d.pdf 
Size:773K _1
BRMJE172D Rev.D Dec.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 PNP Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features .high speed switching. / Applications Low power audio amplifier, Low current, high speed switching applications.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
