Биполярный транзистор 2SA1151 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1151
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO92
2SA1151 Datasheet (PDF)
8.1. Size:193K toshiba
2sa1150.pdf
2sa1150.pdf
2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current I
Другие транзисторы... 2SA1145O , 2SA1145Y , 2SA1146 , 2SA1147 , 2SA115 , 2SA1150 , 2SA1150O , 2SA1150Y , BC639 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , 2SA1155 , 2SA1156 , 2SA1158 , 2SA116 , 2SA1160 .
