SJT13009NT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SJT13009NT  📄📄 

Маркировка: 13009NT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SJT13009NT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SJT13009NT даташит

 ..1. Size:338K  silan
 sjt13009nt.pdf pdf_icon

SJT13009NT

Другие транзисторы: 2SC3866A, 3DK501D, 3DA77, 3DF5B, ISCN366P, ISCN372M, ISCN372N, SSCP005GSB, TIP122, 2N5401B, 2N5401B-Y1, 2N5401B-Y2, 2N5551A, 2N5551A-Y1, 2N5551A-Y2, A1013A, A1013A-R