B834A-G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: B834A-G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для B834A-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B834A-G даташит

 9.1. Size:446K  feihonltd
 b834a.pdf pdf_icon

B834A-G

MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC -3A Epitaxial silicon VCEO -60V High switching speed PC 30W B834 Complementary to B834 RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequen

Другие транзисторы: A1015A-GR, A940C, B647A, B647A-C, B647A-D, B834A, B834A-O, B834A-Y, TIP31C, BU406A, BU406B, C1815BF, C1815BF-O, C1815BF-Y, C1815BF-GR, C1815BF-BL, C2073B