Справочник транзисторов. C9012B-F

 

Биполярный транзистор C9012B-F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: C9012B-F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 96
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для C9012B-F

 

 

C9012B-F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:318K  feihonltd
c9012b.pdf

C9012B-F
C9012B-F

TRANSISTOR C9012B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC -500mA Epitaxial silicon VCEO - 20V High switching speed PC 625mW C9013B Complementary to C9013B RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier

 9.1. Size:360K  kec
ktc9012.pdf

C9012B-F
C9012B-F

SEMICONDUCTOR KTC9012TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity.Complementary to KTC9013.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25)F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_HJ 14.00 + 0.50VCBO -40

 9.2. Size:353K  kec
ktc9012s.pdf

C9012B-F
C9012B-F

SEMICONDUCTOR KTC9012STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_Excellent hFE Linearity.+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Complementary to KTC9013S.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10QMAXIMUM RATING (Ta=25)

 9.3. Size:613K  kec
ktc9012sc.pdf

C9012B-F
C9012B-F

SEMICONDUCTOR KTC9012SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESExcellent hFE Linearity.Complementary to KTC9013SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -40 VCollector-Base VoltageVCEO -30 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltage -5 VICCollector Current -500 mA

 9.4. Size:96K  first silicon
ftc9012s.pdf

C9012B-F
C9012B-F

SEMICONDUCTORFTC9012STECHNICAL DATAXGeneral Purpose TransistorsPNP SiliconFEATURE3We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.2ORDERING INFORMATION1DevicePackageShippingSOT-23FTC9012SX SOT 23 FTC9012SX10000/Tape&ReelSOT-233COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS BASERating Symbol Value Unit2Collector-Emitter Voltage VCEO 2

 9.5. Size:302K  feihonltd
c9012a.pdf

C9012B-F
C9012B-F

TRANSISTOR C9012A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC -100mA Epitaxial silicon VCEO - 20V High switching speed PC 450mW RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top