2N1309 - описание и поиск аналогов

 

2N1309. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1309

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1309

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1309 даташит

 ..1. Size:198K  rca
2n1309.pdfpdf_icon

2N1309

 ..2. Size:99K  central
2n1303 2n1305 2n1307 2n1309.pdfpdf_icon

2N1309

TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

 9.1. Size:197K  rca
2n1307.pdfpdf_icon

2N1309

 9.2. Size:258K  rca
2n1303.pdfpdf_icon

2N1309

Другие транзисторы: 2N1301, 2N1302, 2N1303, 2N1304, 2N1305, 2N1306, 2N1307, 2N1308, D667, 2N1309A, 2N130A, 2N131, 2N1310, 2N1311, 2N1312, 2N1313, 2N1314

 

 

 

 

↑ Back to Top
.