Справочник транзисторов. 2SA1170

 

Биполярный транзистор 2SA1170 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1170
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: MT-200
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  no
2sa1170.pdfpdf_icon

2SA1170

 ..2. Size:161K  jmnic
2sa1170.pdfpdf_icon

2SA1170

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1170 DESCRIPTION With MT-200 package High power dissipation Complement to type 2SC2774 APPLICATIONS Audio and general purpose applications PINNING (see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratin

 ..3. Size:217K  inchange semiconductor
2sa1170.pdfpdf_icon

2SA1170

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1170DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -200V(Min)(BR)CEOHigh Power DissipationComplement to Type 2SC2774APPLICATIONSDesigned for power amplifier and general purposeapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -200 VCBOV Collector-Emitter Voltage -200 V

 8.1. Size:35K  sanyo
2sa1179n 2sc2812n.pdfpdf_icon

2SA1170

Ordering number : EN7198A2SA1179N / 2SC2812NSANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsLow-Frequency General-Purpose2SA1179N / 2SC2812NAmp ApplicationsFeatures Miniature package facilitates miniaturization in end products. High breakdown voltage.Specifications ( ) : 2SA1179NAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Cond

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MJE13003I

 

 
Back to Top

 


 
.