D882B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D882B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для D882B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D882B даташит

 ..1. Size:426K  feihonltd
d882b.pdfpdf_icon

D882B

MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 3A Epitaxial silicon VCEO 30V PC 1.0W High switching speed B722 Complementary to B772 RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequen

 0.1. Size:706K  blue-rocket-elect
2sd882b.pdfpdf_icon

D882B

Другие транзисторы: D880A, D880A-O, D880A-Y, D880A-G, D880C, D880C-O, D880C-Y, D880C-G, 2SD1047, D882B-R, D882B-Q, D882B-P, D882B-E, D965A, D965A-P, D965A-Q, D965A-R