S8050DAF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S8050DAF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для S8050DAF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8050DAF даташит

 ..1. Size:290K  feihonltd
 s8050daf.pdf pdf_icon

S8050DAF

 7.1. Size:900K  feihonltd
 s8050da.pdf pdf_icon

S8050DAF

IC 1.5A Epitaxial silicon VCEO 45V High switching speed PC 1W S8550DA Complementary to S8550DA RoHS RoHS product High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power transform TO-92

 8.1. Size:222K  mcc
 s8050b s8050c s8050d.pdf pdf_icon

S8050DAF

MCC Micro Commercial Components TM S8050-B 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 S8050-C Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 S8050-D Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40V Transistors Operating an

 8.2. Size:478K  feihonltd
 s8050d.pdf pdf_icon

S8050DAF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FHP13007A-H1, FHP13007A-H2, J13007-1A, J13007-1A-H1, J13007-1A-H2, KSP42A, KSP92A, S8050DA, SS8050, S8050DAF-C, S8050DAF-D, S8050SDB, S8550DA, TIP31CA, TIP41CA, MMBT2222E, MMBT2222AE