S8050DAF-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S8050DAF-D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для S8050DAF-D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8050DAF-D даташит

 6.1. Size:290K  feihonltd
 s8050daf.pdf pdf_icon

S8050DAF-D

 7.1. Size:900K  feihonltd
 s8050da.pdf pdf_icon

S8050DAF-D

IC 1.5A Epitaxial silicon VCEO 45V High switching speed PC 1W S8550DA Complementary to S8550DA RoHS RoHS product High frequency switch power supply Commonly power amplifier circuit High frequency power transform TO-92

 8.1. Size:222K  mcc
 s8050b s8050c s8050d.pdf pdf_icon

S8050DAF-D

MCC Micro Commercial Components TM S8050-B 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 S8050-C Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 S8050-D Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40V Transistors Operating an

 8.2. Size:478K  feihonltd
 s8050d.pdf pdf_icon

S8050DAF-D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: J13007-1A, J13007-1A-H1, J13007-1A-H2, KSP42A, KSP92A, S8050DA, S8050DAF, S8050DAF-C, 9014, S8050SDB, S8550DA, TIP31CA, TIP41CA, MMBT2222E, MMBT2222AE, SS8050-1.5A-C, SS8050-1.5A-D