2SD882U-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD882U-E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SD882U-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD882U-E даташит

 6.1. Size:297K  semtech
 st2sd882u-p.pdf pdf_icon

2SD882U-E

ST 2SD882U-P NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in medium power linear and switching applications TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 120 V Collector Base Voltage VCBO 100 V Collector Emitter Voltage VCES 100 V Collector Emitter Voltage VCEO Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector

 6.2. Size:210K  inchange semiconductor
 2sd882u-p.pdf pdf_icon

2SD882U-E

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD882U-P DESCRIPTION High Collector Current-I = 3.0A C Low Saturation Voltage - V = 0.8V(Max)@ I = 2.0A, I = 0.2A CE(sat) C B Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Design for used in medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 7.1. Size:535K  semtech
 st2sd882u.pdf pdf_icon

2SD882U-E

ST 2SD882U NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Peak Collector Current (t = 350 s) ICP 7 A T

 7.2. Size:222K  cn cbi
 2sd882u.pdf pdf_icon

2SD882U-E

2SD882U NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Peak Collector Current (t = 10 ms) ICP 7 A O T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5551U, 2SB772U-R, 2SB772U-Q, 2SB772U-P, 2SB772U-E, 2SD882U-R, 2SD882U-Q, 2SD882UP, 2SC828, BC846DW, BC847DW-A, BC847DW-B, BC847DW-C, BC856DW, BC857DW, MMBT5451DW, MMBTSA1576W-Q