MMBTSA1576W-R - описание и поиск аналогов

 

MMBTSA1576W-R - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBTSA1576W-R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для MMBTSA1576W-R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTSA1576W-R - технические параметры

 3.1. Size:739K  cn cbi
 mmbtsa1576w.pdf pdf_icon

MMBTSA1576W-R

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor The transistor is subdivided into three groups Q, R and S according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current -IC 150 mA Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperatur

 6.1. Size:187K  semtech
 mmbtsa1504o mmbtsa1504y mmbtsa1504g.pdf pdf_icon

MMBTSA1576W-R

MMBTSA1504 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and general purpose applications. The transistor is subdivided into three groups O, Y and G, according to its DC current gain. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO

 8.1. Size:149K  semtech
 mmbtsa733r mmbtsa733o mmbtsa733y mmbtsa733p mmbtsa733l.pdf pdf_icon

MMBTSA1576W-R

MMBTSA733 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor MMBTSC945 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO

 8.2. Size:345K  semtech
 mmbtsa812o mmbtsa812y mmbtsa812g mmbtsa812l.pdf pdf_icon

MMBTSA1576W-R

MMBTSA812 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for audio frequency, general purpose amplifier. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. 1.Base 2.Emitter 3.Collector SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BC846DW , BC847DW-A , BC847DW-B , BC847DW-C , BC856DW , BC857DW , MMBT5451DW , MMBTSA1576W-Q , A42 , MMBTSA1576W-S , MMBTSC2412 , MMBTSC2712-O , MMBTSC2712-Y , MMBTSC2712-G , MMBTSC2712-L , MMBTSC3356-Q , MMBTSC3356-R .

 

 
Back to Top

 


 
.