MMDT9014DW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMDT9014DW

Маркировка: TGL6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MMDT9014DW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDT9014DW даташит

 ..1. Size:1293K  cn cbi
 mmdt9014dw.pdf pdf_icon

MMDT9014DW

Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) 6 FEATURES 5 4 Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015 ) DW 1 2 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 3 MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector- Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltag

 6.1. Size:1222K  jiangsu
 mmdt9014.pdf pdf_icon

MMDT9014DW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT9014 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015) Ideal for Medium Power Amplification and Switching MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-

 7.1. Size:1060K  jiangsu
 mmdt9015.pdf pdf_icon

MMDT9014DW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-363 MMDT9015 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to MMDT9014 MARKING TGM6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V V Collector-Emitter Voltage -45 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Curr

Другие транзисторы: MMDT3052DW-F, MMDT3052DW-G, MMDT3904DW, MMDT3906DW, MMDT3946DW, MMDT4403DW, MMDT5401DW, MMDT5551DW, TIP122, FHS2222A-ME, FHS2907A-ME, FHS3904-ME, FHS3906-ME, FHT1298O-ME, FHT1298Y-ME, FHT5401-ME, FHT5551-ME