FHT5551-ME - описание и поиск аналогов

 

FHT5551-ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHT5551-ME

Маркировка: G1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FHT5551-ME

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHT5551-ME даташит

 ..1. Size:524K  cn fh
 fht5551-me.pdf pdf_icon

FHT5551-ME

FHT5551-ME NPN Transistor DESCRIPTIONS SOT-23 NPN NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONS General purpose application,switching. PIN ASSIGNMENT 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Additiona

Другие транзисторы... MMDT9014DW , FHS2222A-ME , FHS2907A-ME , FHS3904-ME , FHS3906-ME , FHT1298O-ME , FHT1298Y-ME , FHT5401-ME , 13009 , FHT8050O , FHT8050Y , FHT8050G , FHT8050D , FHT8050O-ME , FHT8050Y-ME , FHT8050G-ME , FHT9012O-ME .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.