Справочник транзисторов. FHT5551-ME

 

Биполярный транзистор FHT5551-ME Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FHT5551-ME
   Маркировка: G1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для FHT5551-ME

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHT5551-ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  cn fh
 fht5551-me.pdf pdf_icon

FHT5551-ME

FHT5551-MENPN Transistor DESCRIPTIONSSOT-23 NPN NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONSGeneral purpose application,switching. PIN ASSIGNMENT1 BASE2 EMITTER3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Additiona

Другие транзисторы... MMDT9014DW , FHS2222A-ME , FHS2907A-ME , FHS3904-ME , FHS3906-ME , FHT1298O-ME , FHT1298Y-ME , FHT5401-ME , BC548 , FHT8050O , FHT8050Y , FHT8050G , FHT8050D , FHT8050O-ME , FHT8050Y-ME , FHT8050G-ME , FHT9012O-ME .

History: CT764 | 2SD2700

 

 
Back to Top

 


 
.