Биполярный транзистор 2SA1179M7
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1179M7
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора:
TO236
Аналоги (замена) для 2SA1179M7
2SA1179M7
Datasheet (PDF)
7.1. Size:35K sanyo
2sa1179n 2sc2812n.pdf 
Ordering number : EN7198A2SA1179N / 2SC2812NSANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsLow-Frequency General-Purpose2SA1179N / 2SC2812NAmp ApplicationsFeatures Miniature package facilitates miniaturization in end products. High breakdown voltage.Specifications ( ) : 2SA1179NAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Cond
7.2. Size:41K sanyo
2sa1179 2sa1179n.pdf 
No. N71982SA1179N / 2SC2812NNo. N719872602PNP / NPN 2SA1179N / 2SC2812N 2SA1179N Absolu
7.3. Size:179K secos
2sa1179.pdf 
2SA1179 -0.15A , -55V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High breakdown voltage AL33Top View C B11 2MARKING 2K EProduct Marking Code D2SA1179 MH JF GMillimeter MillimeterPACKAGE INFORMATION REF. REF.Min. Max. Min. Ma
7.4. Size:620K jiangsu
2sa1179.pdf 
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-23 2SA1179 TRANSISTOR (PNP)3FEATURES 1 . High breakdown voltage 1. BASE 22. EMITTER MARKING: M 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -55 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base
7.5. Size:360K htsemi
2sa1179.pdf 
2SA1 1 7 9 TRANSISTOR(PNP) SOT-23 FEATURES . High breakdown voltage 1. BASE 2. EMITTER MARKING: M 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -55 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -150 mA Pc Collector Power Dissipation 20
7.6. Size:285K lge
2sa1179 sot-23.pdf 
2SA1179 SOT-23 Transistor(PNP)1. BASE SOT-232. EMITTER 3. COLLECTOR Features High breakdown voltage MARKING: M MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -55 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -
7.7. Size:409K kexin
2sa1179.pdf 
SMD Type orSMD Type TransistICsPNP Transistors2SA1179SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesHigh breakdown voltage1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -55 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO
Другие транзисторы... 2SA1177D
, 2SA1177E
, 2SA1177F
, 2SA1178
, 2SA1179
, 2SA1179M4
, 2SA1179M5
, 2SA1179M6
, 2N5551
, 2SA118
, 2SA1180
, 2SA1180A
, 2SA1182
, 2SA1182O
, 2SA1182Y
, 2SA1183
, 2SA1184
.
